因產(chǎn)品配置不同，價格貨期需要電議，圖片僅供參考，一切以實際成交合同為準(zhǔn)。
上海伯東代理美國原裝進(jìn)口 KRI 霍爾離子源 eH200 是霍爾離子源型 eH 系列中尺寸小, 低成本設(shè)計離子源. 霍爾離子源 eH200 適用于小型真空腔內(nèi), 例如研發(fā)分析, 薄膜沉積和離子清洗. 霍爾離子源 eH200 操作簡單是理想的生產(chǎn)工具.
KRI 霍爾離子源 eH 200 技術(shù)參數(shù)：
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型號
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eH 200
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供電
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DC magnetic
confinement
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- 電壓
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40-300V VDC
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- 離子源直徑
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~ 2 cm
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- 陽極結(jié)構(gòu)
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模塊化
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電源控制
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eHx-3005A
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配置
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-
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- 陰極中和器
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Filament or
Hollow Cathode
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- 離子束發(fā)散角度
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> 45°
(hwhm)
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- 陽極
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標(biāo)準(zhǔn)或 Grooved
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- 水冷
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無
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- 底座
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移動或快接法蘭
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- 高度
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2.0
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- 直徑
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2.5
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-加工材料
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金屬
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電介質(zhì)
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半導(dǎo)體
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-工藝氣體
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Ar, Xe, Kr,
O2, N2, Organic Precursors
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- 安裝距離
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6-24”
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- 自動控制
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控制4種氣體
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* 可選: 可調(diào)角度的支架;
Filamentless; Sidewinder
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KRI 霍爾離子源 eH 200 應(yīng)用領(lǐng)域：
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
輔助鍍膜(光學(xué)鍍膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
直接沉積 DD
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立
Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項. KRi 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.
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